ISSI 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort 19bit, 3,135 V bis 3,63 V, TSOP 44-Pin

Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 512 k x 8 Bit
Anzahl der Wörter = 512k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 19bit
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 18.52 x 10.29 x 1.05mm
Höhe = 1.05mm
Arbeitsspannnung min. = 3,135 V

Statischer RAM, ISSI. Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM ;sup> mit ;/sup>geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.. Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16 ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs