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ISSI SDRAM 256MBit 16 M x 16 143MHz 16bit Bits/Wort 5.4ns TSOP 54-Pin, 3 V bis 3,6 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1702170
Hersteller:
     ISSI
Herst.-Nr.:
     IS42S16160G-7TL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
DRAM Chip
SDRAM Chip
SDRAM IC
dram chip
Speicher Größe = 256MBit
Organisation = 16 M x 16
Datenumfang = 143MHz
Datenbus-Breite = 16bit
Adressbusbreite = 15bit
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 5.4ns
Anzahl der Wörter = 16M
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.42 x 10.29 x 1.05mm
Höhe = 1.05mm
Länge = 22.42mm
Breite = 10.29mm

Dynamischer RAM, ISSI. ISSI SDR SDRAM Serie bietet synchrone Schnittstelle mit programmierbarer CAS-Latenz (2/3 Uhren). Die Datenübertragung mit hoher Geschwindigkeit wird durch Anwendung des Pipeline-Prozesses sichergestellt, und die synchrone DRAM SDR Serien bieten Burst Lesen/Schreiben und Burst Lesen- /einfach Schreiben, womit sie sich ideal zum Einsatz in Computeranwendungen eignen. ISSI 's SDR SDRAM-Geräte gibt es in einer Reihe von verschiedenen Organisationen und Speichergrößen, betrieben mit einem 3,3-Volt-Netzteil.. LVTTL-Schnittstelle Eingangs-/Ausgangssignale beziehen sich auf die ansteigende Flanke des Takteingangs Programmierbare Burst Reihenfolge: Sequenzielles/Interleave; programmierbar Burstlänge Zufällige Spaltenadresse für jeden Zyklus Selbst-Refresh und Auto Refresh Modus
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
256MBit
Organisation:
16 M x 16
Datenumfang:
143MHz
Datenbus-Breite:
16bit
Adressbusbreite:
15bit
Anzahl der Bits pro Wort:
16bit
Zugriffszeit max.:
5.4ns
Anzahl der Wörter:
16M
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
TSOP
Pinanzahl:
54
Abmessungen:
22.42 x 10.29 x 1.05mm
Höhe:
1.05mm
Länge:
22.42mm
Breite:
10.29mm
Weitere Suchbegriffe: 1702170, Halbleiter, Speicherbausteine, SDRAM, ISSI, IS42S16160G7TL, Semiconductors, Memory Chips
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