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| Artikel-Nr.:
822EL-1708997 Herst.-Nr.:
ZXMN3A01ZTA EAN/GTIN:
5059043753386 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,12 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 2.6mm
Höhe = 1.6mm
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 180 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,12 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 2.6mm | Höhe: | 1.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1708997, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN3A01ZTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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