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| Artikel-Nr.:
822EL-1736263 Herst.-Nr.:
OIS-170-IT855-X-T EAN/GTIN:
k.A. |
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| Wellenlänge Spitze = 855nm
Gehäusetyp = 0805
Strahlungsstärke = 3mW/sr
Montage Typ = SMD
Anzahl der LEDs = 1
Anzahl der Pins = 2
Abmessungen = 1.9 x 1.2 x 1.2mm
Linsenform = Quadratisch
Serie = OIS-170
LED Material = AlInGaP, GaAlAs, GaP, InGaN
Versorgungsspannung max. = 1.6V
Wir entwickeln und fertigen spezielle individuell entworfene Hochleistungs-LED-Chips für hohe Helligkeit, SMD-LEDs und LED-Lampen in den Farben Weiß, UV 265–420 nm, VIS 420–660 nm und IR 660–1650 nm. Unsere kundenspezifischen LED-Module für OEMs sind eine effiziente Möglichkeit für Leuchten und andere Beleuchtungsanwendungen.Gehäuse: 0805Größe: 1,9 mm x 1,2 mm x 1,2 mmBlickwinkel: 140°Technologie: GaP-, AlInGaP, GaAlAs und InGaN(Un)farbige, (un)diffuse Kapselung erhältlichLötunterlagen: vergoldetFür alle SMD-Montageverfahren geeignetGehäuse: 0805Größe: 1,9 mm x 1,2 mm x 1,2 mmStromkreis-Substrat: Glaslaminiertes EpoxidBleifrei lötbar, Lötunterlagen: vergoldetin 8-mm Blisterband isoliert, Kathode zum Transport der PerforationAlle Geräte sortiert nach Leuchtstärkeklassen Weitere Informationen: | | Wellenlänge Spitze: | 855nm | Gehäusetyp: | 0805 | Strahlungsstärke: | 3mW/sr | Montage Typ: | SMD | Anzahl der LEDs: | 1 | Anzahl der Pins: | 2 | Abmessungen: | 1.9 x 1.2 x 1.2mm | Linsenform: | Quadratisch | Serie: | OIS-170 | LED Material: | AlInGaP, GaAlAs, GaP, InGaN | Versorgungsspannung max.: | 1.6V |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 1736263, Displays und Optoelektronik, LEDs – Leuchtdioden, IR LEDs, OSA Opto, OIS170IT855XT, Displays & Optoelectronics, LEDs - Light Emitting Diodes |
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