Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 100MHz, 32bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, PBGA 119-Pin

Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 512 KB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 512k
Anzahl der Bits pro Wort = 32bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = PBGA
Pinanzahl = 119
Abmessungen = 22 x 14 x 1.8mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Breite = 14mm

Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns / 15 ns Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur Niedriger Wirk- und Standby-Strom ICC = 90 mA typisch ISB2 = 20 mA (typisch) Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V 1,0-V-Datenspeicherung Automatische Abschaltung bei Deaktivierung Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL) ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur Erhältlich in Pb-freiem 119-Ball-PBGA-Gehäuse (Kugelgitter Array)