Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 512 k x 8 Bit
Anzahl der Wörter = 512k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 45ns
Adressbusbreite = 8bit
Taktfrequenz = 1MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 32
Abmessungen = 20.75 x 11.43 x 2.81mm
Höhe = 2.81mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V. PIN kompatibel mit CY62148B. Extrem niedrige Standby-Leistung Typischer Standby-Strom: 1 μA Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie) Extrem niedrige Wirkleistung Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen Automatische Abschaltung bei Deaktivierung Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen