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DiodesZetex DMN6069SE-13 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 11 W, 3-Pin SOT-223


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-1826900
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN6069SE-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
1826900
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 11 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Länge = 6.55mm
Höhe = 1.65mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
8 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-223
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
100 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
11 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Länge:
6.55mm
Höhe:
1.65mm
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