OSI Optoelectronics OSD Fotodiode IR 900nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 900nm
Gehäusetyp = TO5
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 350nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Höhe über Panel = 0.13Zoll
Spitzenphotosensibilität = 0.54A/W
Polarität = Umgekehrt

Die photoleitenden Detektoren der Serie eignen sich für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Empfindlichkeit. Der Spektralbereich reicht von 350 bis 1100 nm, womit diese Fotodioden ideal für sichtbare und nahe IR-Anwendungen sind, einschließlich AC-Anwendungen wie die Erkennung von gepulsten LASER-Quellen, LEDs oder gehäcktem Licht. Um hohe Geschwindigkeiten zu erreichen, sollten diese Detektoren umgekehrt vorbelastet sein. Typische Ansprechzeiten von 10 ns bis 250 ns können z. B. mit einer 10-V-Sperrvorspannung erreicht werden. Wenn eine umgekehrte Vorspannung angelegt wird, sinkt die Kapazität (wie in der Abbildung unten zu sehen), was direkt einer Erhöhung der Geschwindigkeit entspricht. Wie in der Spezifikationstabelle angegeben, sollte die umgekehrte Vorspannung 30 Volt nicht überschreiten. Höhere Vorspannungen führen zu dauerhaften Schäden am Detektor. Da eine Umkehrvorspannung zusätzlichen Dunkelstrom erzeugt, steigt das Rauschen im Gerät auch mit angelegter Vorspannung. Für Detektoren mit geringem Rauschen sollte die Photovoltaik-Serie in Betracht gezogen werden.Hohe Ansprechgeschwindigkeit Niedrige Kapazität Niedriger Dunkelstrom Großer Dynamikbereich Hohe Empfindlichkeit ANWENDUNGEN Impuls-Detektoren Optische Kommunikation Strichcodelesegerät Optische Fernbedienung Medizintechnische Geräte Hochgeschwindigkeitsphotometrie