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| Artikel-Nr.: 822EL-1858093 Herst.-Nr.: NCV1063AD100R2G EAN/GTIN: k.A. |
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| Schaltfrequenz max. = 100 kHz Ausgangsspannung = 670 V Ausgangsstrom = 780 mA Abfallzeit = 10ns Anstiegszeit = 20ns Pinanzahl = 16 Abmessungen = 10 x 4 x 1.5mm Länge = 10mm Breite = 4mm Höhe = 1.5mm Betriebstemperatur min. = –40 °C
Integrierter 670-V-MOSFET mit RDS(on) von 11,4 Ω Großer Kriechstrecke zwischen Hochspannungsstiften Einstellbarer Peak Current bis zu 650 Direkter Rückkopplungsanschluss für nicht isolierte Wandler Interner und einstellbarer Überstromschutzschaltkreis (OPP) Kurzschlussschutz am Ausgang mit automatischer Fehlerbehandlung mit zeitgeberbasierter Erkennung Frequenz-Jitter (einschließlich während des Frequenz-Foldback-Modus) Strommodus-Betrieb mit fester Frequenz - 60 oder 100 kHz Frequenz-Foldback-Betrieb Bis zu 12-W-Ausgang SMPS-Designfähigkeit Sicherere und robustere Bauweise auch mit SMD-Gehäusen Erhöhte Skalierbarkeit des Designs Einfachere und kostengünstigere Buck- oder Buck-Boost-Designs Nicht ableitfähige proprietäre Technik zum Selbstschutz der Last Bietet einen robusteren Schutz, ohne sich um die Kopplung der Hilfswicklung kümmern zu müssen Bessere EMI-Signatur über den gesamten Betriebsbereich Ability zur Skalierung für Effizienz oder Größe Verbesserter Wirkungsgrad bei geringer Last/verbesserte elektromagnetische Störungen über die gesamten Lastbedingungen Für jedes energiesparende EV-batteriebetriebene Design Anwendungen EV-Hilfsnetzteil Endprodukte Integrierte Ladegeräte Traktionsinverter Weitere Informationen: | | Schaltfrequenz max.: | 100 kHz | Ausgangsspannung: | 670 V | Ausgangsstrom: | 780 mA | Abfallzeit: | 10ns | Anstiegszeit: | 20ns | Pinanzahl: | 16 | Abmessungen: | 10 x 4 x 1.5mm | Länge: | 10mm | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.5mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1858093, Halbleiter, Stromversorgung, Pulsbreitenmodulation, onsemi, NCV1063AD100R2G, Semiconductors, Power Management ICs, PWM |
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