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| Artikel-Nr.:
822EL-1868957 Herst.-Nr.:
NTR1P02LT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.25V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +12 V
Breite = 1.4mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Diese Miniatur-MOSFETs für Oberflächenmontage mit geringem RDS(on) sorgen für minimale Verlustleistung und sparen Energie. Daher sind diese Geräte ideal für den Einsatz in raumpfindlichen Energieverwaltungsschaltkreisen. Typische Anwendungen dieser P-Kanal-MOSFETs sind DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.Low RDS(on) bietet höhere Effizienz und verlängert die Akkulaufzeit Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine Endprodukte Computer Drucker PCMCIA-Karten Mobiltelefone und schnurlose Telefone Anwendungen DC/DC-Wandler Energieverwaltung in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 350 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.25V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +12 V | Breite: | 1.4mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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