Winbond SDRAM 512MBit 64 MB x 8 Bit LPDDR 200MHz 8bit Bits/Wort 5ns VFBGA 90-Pin, 1,7 V bis 1,95 V

Speicher Größe = 512MBit
Organisation = 64 MB x 8 Bit
Datenumfang = 200MHz
Datenbus-Breite = 32bit
Adressbusbreite = 15bit
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 5ns
Anzahl der Wörter = 64M
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = VFBGA
Pinanzahl = 90
Abmessungen = 13.1 x 8.1 x 0.65mm
Höhe = 0.65mm
Länge = 13.1mm
Breite = 8.1mm

VDD = 1,7 ∼ 1,95 V VDDQ = 1,7-1,95 V Datenbreite: X16 / x32 Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6) Refresh-Modus serienmäßig Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR) Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR) Abschaltmodus Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus) Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff Doppelte Datenrate für Datenausgabe Differenzielle Takteingänge (CK und CK) Bidirektional, Datenstrobe (DQS) CAS-Latenz: 2 und 3 Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16 Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave 8 K Aktualisierungszyklen/64 ms Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel Supportpaket: 60 Kugeln VFBGA (x16) 90 Kugeln VFBGA (x32) Betriebstemperaturbereich Erweitert: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C. Industrie: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.Dies ist ein 512 MB DDR SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 2 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave Refresh-Modus serienmäßig PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen