Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 512 k x 8 Bit
Anzahl der Wörter = 512k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 55ns
Adressbusbreite = 8bit
Taktfrequenz = 1MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 32
Abmessungen = 20.75 x 11.43 x 2.88mm
Arbeitsspannnung max. = 5,5 V
Breite = 11.43mm

Asynchroner Micropower (MoBL) SRAM-Speicher, Cypress Semiconductor. Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.