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| Artikel-Nr.:
822EL-1885405 Herst.-Nr.:
FM24V10-G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 1MBit
Organisation = 128K x 8 bit
Interface-Typ = I2C
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 450ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.97 x 3.98 x 1.48mm
Länge = 4.97mm
Breite = 3.98mm
Höhe = 1.48mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Wörter = 128k
F-RAM, Cypress Semiconductor. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 1MBit | Organisation: | 128K x 8 bit | Interface-Typ: | I2C | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 450ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOIC | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | Länge: | 4.97mm | Breite: | 3.98mm | Höhe: | 1.48mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Wörter: | 128k |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885405, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM24V10G, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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