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| Artikel-Nr.:
822EL-1885418 Herst.-Nr.:
FM25V02A-DG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 256kbit
Organisation = 32K x 8 bit
Interface-Typ = SPI
Datenbus-Breite = 8bit
Zugriffszeit max. = 16ns
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DFN
Pinanzahl = 8
Abmessungen = 4.5 x 4 x 0.75mm
Länge = 4.5mm
Breite = 4mm
Höhe = 0.75mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
F-RAM, Cypress Semiconductor. Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert. Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher Hohe Schreibgeschwindigkeit Lange Lebensdauer Geringer Stromverbrauch Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 256kbit | Organisation: | 32K x 8 bit | Interface-Typ: | SPI | Datenbus-Breite: | 8bit | Zugriffszeit max.: | 16ns | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DFN | Pinanzahl: | 8 | Abmessungen: | 4.5 x 4 x 0.75mm | Länge: | 4.5mm | Breite: | 4mm | Höhe: | 0.75mm | Betriebstemperatur max.: | +85 °C | Anzahl der Bits pro Wort: | 8bit |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885418, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, FM25V02ADG, Semiconductors, Memory Chips, FRAM Memory |
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