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| Artikel-Nr.:
822EL-1888407 Herst.-Nr.:
STD13N60DM2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Länge = 6.6mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.6V
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM2-Diode mit schneller Erholung. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.Gehäusediode mit schneller Erholung Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Extrem hohe dv/dt-Robustheit Zenerdioden-geschützt Anwendungen Schaltanwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 360 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Länge: | 6.6mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.6V |
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