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| Artikel-Nr.:
822EL-1938470 Herst.-Nr.:
CY7C10612G30-10ZSXI EAN/GTIN:
k.A. |
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| Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1 M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP II
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.313 x 10.058 x 0.95mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Breite = 10.06mm
Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur Niedrige Wirkleistung ICC = 90 mA typisch Geringe CMOS-Standby-Leistung ISB2 = 20 mA (typisch) Betriebsspannungen von 3,3 ± 0,3 V 1,0 V Datenspeicherung Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL) ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur Erhältlich in Pb-freiem 54-poligem TSOP II-Gehäuse Weitere Informationen: | | Speicher Größe: | 16MBit | Organisation: | 1 MB x 16 bit | Anzahl der Wörter: | 1 M | Anzahl der Bits pro Wort: | 16bit | Zugriffszeit max.: | 10ns | Adressbusbreite: | 16bit | Taktfrequenz: | 100MHz | Low Power: | Ja | Timing Typ: | Asymmetrisch | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | TSOP II | Pinanzahl: | 54 | Abmessungen: | 22.313 x 10.058 x 0.95mm | Arbeitsspannnung max.: | 3,6 V | Breite: | 10.06mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1938470, Halbleiter, Speicherbausteine, Infineon, CY7C10612G3010ZSXI, Semiconductors, Memory Chips |
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