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onsemi NVMTS1D2N08HOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-1952677
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVMTS1D2N08H
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
1952677
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 337 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Länge = 8.1mm
Höhe = 1.15mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
337 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
DFN
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
1,1 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
300 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Länge:
8.1mm
Höhe:
1.15mm
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