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STMicroelectronics STD STD13N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET 480 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Paket  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2024809
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD13N60M6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2024809
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 480 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,38 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = STD
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
10 A
Drain-Source-Spannung max.:
480 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,38 O
Channel-Modus:
Depletion
Gate-Schwellenspannung max.:
25V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
STD
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