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| Artikel-Nr.:
822EL-2104949 Herst.-Nr.:
SKM300GB12T4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 422 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Dual
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke
Das SEMIKRON semitrans 3 Fast IGBT 4-Modul gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte bei Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, AC-Wechselrichterantriebe und USV sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten IGBTs der Serie zwei Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 422 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Konfiguration: | Dual | Montage-Typ: | Tafelmontage | Channel-Typ: | N | Transistor-Konfiguration: | Zweifach-Halbbrücke |
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| Weitere Suchbegriffe: 2104949, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SKM300GB12T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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