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Vishay E SIHP15N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2104992
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP15N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2104992
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,304 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = E
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,304 O
Gate-Schwellenspannung max.:
2 ? 4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
E
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