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Vishay SQ2318BES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 3-Pin SOT-23


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2105021
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2318BES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2105021
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,021 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5 → 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
8 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,021 O
Gate-Schwellenspannung max.:
1.5 ? 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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€ 670,47*
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