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STMicroelectronics STD12N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2108740
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD12N60DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2108740
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
10 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
390 mO
Gate-Schwellenspannung max.:
4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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