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| Artikel-Nr.:
822EL-2144416 Herst.-Nr.:
IPP60R180P7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,18 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 600V CoolMOS P7
Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.Er verfügt über eine robuste Gehäusediode Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,18 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 600V CoolMOS P7 |
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