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Infineon 600V CoolMOS™ C7 IPB60R180C7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2152498
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB60R180C7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2152498
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = 600V CoolMOS™ C7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,18 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Serie:
600V CoolMOS™ C7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,18 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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