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Infineon OptiMOS™ 2 IPD33CN10NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2152506
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD33CN10NGATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2152506
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 27 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = OptiMOS™ 2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,033 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
27 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
OptiMOS™ 2
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,033 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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