| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-2172642 Herst.-Nr.: IRLS4030TRL7PP EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = D2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 4,1 mO Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 100-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 7-poligen D2-Pak-Gehäuse.Optimiert für Logikpegelantrieb Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS Überlegener R * Q bei 4,5 V VGS I Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit Bleifrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 190 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,1 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |