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Infineon OptiMOS™ BSC026N04LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 119 A, 8-Pin Herr TDSON


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2182975
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSC026N04LSATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2182975
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 119 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = Herr TDSON
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0026 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS™
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
119 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
Herr TDSON
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0026 O
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
OptiMOS™
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