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| Artikel-Nr.:
822EL-2183075 Herst.-Nr.:
IPS60R1K5CEAKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = IPAK SL (TO-251 SL)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 600V CoolMOS™ CE
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren.Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Einfach zu verwenden/zu treiben Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | IPAK SL (TO-251 SL) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 600V CoolMOS™ CE |
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