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| Artikel-Nr.:
822EL-2183082 Herst.-Nr.:
IPU60R2K1CEAKMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2.1 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 600V CoolMOS™ CE
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 600V CoolMOS TM CE-Serie. Die CoolMOS TM CE-Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten. Dieser MOSFET wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet.Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit Einfach zu verwenden/zu treiben Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2.1 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 600V CoolMOS™ CE |
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