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| Artikel-Nr.:
822EL-2183085 Herst.-Nr.:
IPW60R017C7XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 109 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,017 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = 600V CoolMOS™ C7
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der CoolMOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC) Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit bis 120 V/ns Erhöhte Schaltfrequenz Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 109 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,017 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | 600V CoolMOS™ C7 |
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