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Vishay N-Channel 100 V SUP70042E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 150 A, 3-Pin TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2259972
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUP70042E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2259972
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0045 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Serie = N-Channel 100 V

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.TrenchFET Leistungs-MOSFET Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Sehr niedriger Qgd verringert den Leistungsverlust durch V(Plateau) 100 % Rg- und UIS-geprüft
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
150 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0045 O
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Serie:
N-Channel 100 V
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