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Vishay SIHK065N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2395378
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHK065N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2395378
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
34 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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