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Infineon IGBT-Modul / 70 A ±20V max. Quad, 650 V 20 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2481200
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     F3L100R07W2H3B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
igbt module infineon
igbt module
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
70 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Weitere Suchbegriffe: 2481200, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, F3L100R07W2H3B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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