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Infineon IMW120R007M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 225 A, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2486665
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMW120R007M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2486665
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 225 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
225 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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