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Infineon IMBG65R083M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 7-Pin TO-263-7


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2489323
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMBG65R083M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2489323
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
28 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-263-7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
7
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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