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Vishay SQJQ184E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 430 A, 8-Pin PowerPAK 8 x 8LR


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2520312
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJQ184E-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2520312
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 430 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8LR
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
430 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 8 x 8LR
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
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