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| Artikel-Nr.:
822EL-2737280 Herst.-Nr.:
BAR6503WE6327HTSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Durchlassstrom max. = 100mA
Sperrspannung max. = 30V
Ladungsträgerlebensdauer = 80ns
Gehäusegröße = SOT-323
Pinanzahl = 3 Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Durchlassstrom max.: | 100mA | Sperrspannung max.: | 30V | Ladungsträgerlebensdauer: | 80ns | Gehäusegröße: | SOT-323 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2737280, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, pin-Dioden, Infineon, BAR6503WE6327HTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, PIN Diodes |
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