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Vishay SIHH150N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 4-Pin 8 x 8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2799914
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHH150N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
2799914
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = 8 x 8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
19 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
8 x 8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Channel-Modus:
Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: Vishay, SIHH150N60ET1GE3
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