|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-300978 Herst.-Nr.:
BAT85,113 EAN/GTIN:
5059043952833 |
| |
|
| | |
| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = DO-34
Dauer-Durchlassstrom max. = 200mA
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 30V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 800mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 4ns
Durchmesser = 1.6mm
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 5A
Schottky-Dioden, 200 mA bis 500 mA. Hoher Wirkungsgrad Sehr kleine, flache SMD-Gehäuse Optimiert für niedrigen, vorwärtsgerichteten Spannungsabfall und hohe Sperrschichttemperatur Niedrige Kapazität Vernachlässigbare Schaltverluste Niedriger Leckstrom Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | DO-34 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 200mA | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 30V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 800mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 4ns | Durchmesser: | 1.6mm | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 5A |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 300978, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Nexperia, BAT85,113, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
| | |
| |