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Semikron IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin SEMITRANS3 N-Kanal


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Produktinformationen
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Semikron IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
Semikron IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     822EL-4682454
Hersteller:
     Semikron
Herst.-Nr.:
     SKM200GB125D
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
igbt module semikron
igbt module
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITRANS3
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
200 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
SEMITRANS3
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Serie
Abmessungen:
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: 4682454, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Semikron, SKM200GB125D, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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