Semikron IGBT-Modul / 260 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 260 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung