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| Artikel-Nr.:
822EL-4858651 Herst.-Nr.:
T835-600G EAN/GTIN:
5059042295375 |
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| On-State Strom durchschnittlich = 8A
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Gate-Triggerstrom max. = 35mA
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 600V
Spitzenstrom = 84A
Pinanzahl = 3
Gate-Triggerspannung max. = 1.3V
Spitzen-Sperr-Durchlassspannung periodisch = 600V
Haltestrom max. = 35mA
Abmessungen = 10.28 x 9.35 x 4.6mm
Länge = 10.28mm
Breite = 9.35mm
Höhe = 4.6mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
TRIAC, 8–12 A, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | On-State Strom durchschnittlich: | 8A | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Gate-Triggerstrom max.: | 35mA | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 600V | Spitzenstrom: | 84A | Pinanzahl: | 3 | Gate-Triggerspannung max.: | 1.3V | Spitzen-Sperr-Durchlassspannung periodisch: | 600V | Haltestrom max.: | 35mA | Abmessungen: | 10.28 x 9.35 x 4.6mm | Länge: | 10.28mm | Breite: | 9.35mm | Höhe: | 4.6mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 4858651, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, TRIAC Thyristortrioden, STMicroelectronics, T835600G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, TRIACs |
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