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Transistor MMBT5551LT1G NPN 160 V 600 mA, HFE:30, SOT-23 3-Pin


Menge:  Paket  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-545-0400
Hersteller:
     ON Semiconductor
Herst.-Nr.:
     MMBT5551LT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Schalttransistor
SMD-Transistor
Transistor
smd-transistor npn
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 600 mA
Kollektor-Emitter- = 160 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 180 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 0,2 V
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor, 5450400, Halbleiter, Diskrete Bauteile, Transistoren bipolar, ON Semiconductor, MMBT5551LT1G
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