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| Artikel-Nr.:
822EL-6867862 Herst.-Nr.:
IXTN62N50L EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 800 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Länge = 38.23mm
Serie = Linear
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 62 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 800 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Länge: | 38.23mm | Serie: | Linear |
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