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| Artikel-Nr.:
822EL-7514155 Herst.-Nr.:
DMN2400UV-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,33 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V
Verlustleistung max. = 530 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.25mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.9V | Verlustleistung max.: | 530 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 1.25mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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