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Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal

Menge:

Stück

Produktinformationen

Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal

Artikel-Nr.:
822EL-7965055

Hersteller:
Toshiba

Herst.-Nr.:
GT20J341

EAN/GTIN:
5059041654029

Suchbegriffe:

IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 45 W
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 100kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

IGBTs, diskret, Toshiba

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	20 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	600 V
Gate-Source Spannung max.:	±25V
Verlustleistung max.:	45 W
Gehäusegröße:	TO-220SIS
Montage-Typ:	THT
Channel-Typ:	N
Pinanzahl:	3
Schaltgeschwindigkeit:	100kHz
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Abmessungen:	10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max.:	+150 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: igbt, 7965055, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT20J341, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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