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Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220

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Produktinformationen

Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
822EL-7965070

Hersteller:
Toshiba

Herst.-Nr.:
TK100E10N1

EAN/GTIN:
5059041667784

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 207 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK

MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	207 A
Drain-Source-Spannung max.:	100 V
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	3,4 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Verlustleistung max.:	255 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Serie:	TK

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Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 7965070, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK100E10N1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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