| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-8103485 Herst.-Nr.: STGB18N40LZT4 EAN/GTIN: 5059042519303 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = 16V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Schaltgeschwindigkeit = 1MHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 10.4 x 9.35 x 4.6mm Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 420 V | Gate-Source Spannung max.: | 16V | Verlustleistung max.: | 150 W | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: stmicroelectronics transistor, smd transistor, transistor d2-pak, 8103485, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGB18N40LZT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |