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| Artikel-Nr.:
822EL-8184333 Herst.-Nr.:
V30200C-E3/4W EAN/GTIN:
5059040737853 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AB
Dauer-Durchlassstrom max. = 30A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Kathode
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 1.1V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 250A
TMBS - Trench-MOS-Schottky-Gleichrichter, 30 A bis 80 A, Vishay Semiconductor. Die Trench MOS-Schottky-Gleichrichterserie (TMBS) von Vishay enthält eine patentierte Trench Struktur. TMBS-Gleichrichter bieten mehrere Vorteile gegenüber planaren Schottky-Gleichrichtern. Bei Betriebsspannungen von 45 V und höher können planare Schottky-Gleichrichter ihren Vorteil von schnellen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Vorwärtsabfall in erheblichem Maße verlieren. Die patentierte TMBS-Struktur löst diese Probleme, indem sie die Minoritätsinjektionen in den Driftbereich verringert, so dass gespeicherte Ladungen minimiert und Schaltgeschwindigkeiten verbessert werden. Patentierte Trench-Struktur Verbesserte Effizienz in AC/DC-Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern Hohe Leistungsdichte und niedrige Durchlassspannung. Merkmale Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AB | Dauer-Durchlassstrom max.: | 30A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Kathode | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.1V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 250A |
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| Weitere Suchbegriffe: 8184333, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Vishay, V30200CE34W, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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