|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-8297120 Herst.-Nr.:
STGF15H60DF EAN/GTIN:
5059042024425 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 30 W
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.4 x 4.6 x 16.4mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 30 W | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, 8297120, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGF15H60DF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |